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①發(fā)射波長(zhǎng)

       構(gòu)成半導(dǎo)體激光器的材料決定了激光器的發(fā)射波長(zhǎng)。一般釆用GaAs/GaAlAs材料構(gòu)成850nm波段的短波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光器，它是以GaAs作為有源區(qū)；采用InGaAsP/InP材料構(gòu)成長(zhǎng)波長(zhǎng)(1100?1700nm)半導(dǎo)體激光器，它是以InGaAsP作為有源區(qū)。

②PI特性

       半導(dǎo)體激光器的P1特性是指它的輸出功率P隨注入電流I的變化關(guān)系。圖9.16為一半導(dǎo)體激光器的典型PI特性曲線(xiàn)。隨著激光器注入電流的增加，其輸出光功率增加，但不是呈線(xiàn)性關(guān)系。當(dāng)注入電流低于閾值時(shí)，輸出功率很?。划?dāng)注入電流大于閾值電流后，輸出光功率隨注入電流的增加而急劇增加。

圖16    半導(dǎo)體激光器的典型P-1特性曲線(xiàn)

③溫度特性

        半導(dǎo)體激光器是對(duì)溫度敏感的器件，它的輸出光功率隨溫度而變化。圖17為一激光器的PT特性隨溫度變化的情況。隨著溫度的升高，器件的閾值電流增大，輸出光功率降低，而且輸出光的峰值波長(zhǎng)會(huì)向長(zhǎng)波長(zhǎng)方向漂移。因此實(shí)用化的半導(dǎo)體激光器必須對(duì)溫度加以控制。

圖17       激光器的P-I特性隨溫度變化的情況

④模式特性

       半導(dǎo)體激光器中所允許的光場(chǎng)模式分為T(mén)E和TM兩組，每一組模式對(duì)應(yīng)著電（或磁）場(chǎng)在垂直于PN結(jié)平面方向（橫向）、平行于PN結(jié)平面方向（側(cè)向）和傳輸方向（縱向）的穩(wěn)定駐波形式，這三個(gè)方向上的駐波分別稱(chēng)為橫模、側(cè)模和縱模。激光器的橫模和側(cè)模決定了輸出光束的空間分布；縱模則表示了激光器在諧振腔方向上光波的振蕩特性，即激光器發(fā)射的光譜的性質(zhì)。在光纖通信系統(tǒng)中要求半導(dǎo)體激光器工作于基橫模和單側(cè)模，以提高與光纖的耦合效率。為減小光纖帶來(lái)的色散.要求激光器單縱模工作，特別是在高速調(diào)制下的單縱模運(yùn)轉(zhuǎn)。

⑤光譜特性

       半導(dǎo)體激光器的光譜特性主要是由激光器的縱模決定。

       激光器的光譜會(huì)隨著注入電流而發(fā)生變化。當(dāng)注入電流低于閾值電流時(shí)，半導(dǎo)體激光器發(fā)出的是熒光，光譜很寬，如圖18（a）所示。當(dāng)電流增大到閾值電流時(shí)，光譜突然變窄,光譜中心強(qiáng)度急劇增加，出現(xiàn)了激光，如圖18（b）所示。對(duì)于單縱模半導(dǎo)體激光器，由于只有一個(gè)縱模，其譜線(xiàn)更窄，如圖18（c）所示。

⑥激光器的效率

       半導(dǎo)體激光器把激勵(lì)的電功率轉(zhuǎn)換成光功率發(fā)射出去，常用功率效率和量子效率衡量激光器轉(zhuǎn)換效率的高低。最常用的是外微分量子效率，其定義為激光器達(dá)到閾值后.輸出光子數(shù)的增量與注入電子數(shù)的增量之比，表達(dá)式為

圖18    半導(dǎo)體激光器的輸出光譜