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去耦電容有效使用方法的要點(diǎn)大致可以分為以下兩種。另外，還有其他幾點(diǎn)需要注意。
01  使用多個去耦電容 去耦電容的有效使用方法之一是用多個（而非1個）電容進(jìn)行去耦。使用多個電容時，使用相同容值的電容時和交織使用不同容值的電容時，效果是不同的。
使用多個容值相同的電容時 右圖是使用1個22µF的電容時（藍(lán)色）、增加1個變?yōu)?個時（紅色）、再增加1個變?yōu)?個（紫色）時的頻率特性。如圖所示，當(dāng)增加容值相同的電容后，阻抗在整個頻率范圍均向低的方向轉(zhuǎn)變，也就是說阻抗越來越低。

這一點(diǎn)可通過思考并聯(lián)連接容值相同的電容時，到諧振點(diǎn)的容性特性、取決于ESR（等效串聯(lián)電阻）的諧振點(diǎn)阻抗、諧振點(diǎn)以后的ESL（等效串聯(lián)電感）影響的感性特性來理解。并聯(lián)的電容容值是相加的，所以3個電容為66µF，容性區(qū)域的阻抗下降。

諧振點(diǎn)的阻抗是3個電容的ESR并聯(lián)，因此為，假設(shè)這些電容的ESR全部相同，則ESR減少至1/3，阻抗也下降。

諧振點(diǎn)以后的感性區(qū)域的ESL也是并聯(lián)，因此為，假設(shè)3個電容的ESL全部相同，則ESL減少至1/3，阻抗也下降。

由此可知，通過使用多個相同容值的電容，可在整個頻率范圍降低阻抗，因此可進(jìn)一步降低噪聲。
使用多個容值不同的電容時 這些曲線是在22µF的電容基礎(chǔ)上并聯(lián)增加0.1µF、以及0.01µF的電容后的頻率特性。通過增加容值更小的電容，可降低高頻段的阻抗。相對于一個22µF電容的頻率特性來說，0.1µF和0.01µF的特性是合成后的特性（紅色虛線）。
這里必須注意的是，有些頻率點(diǎn)產(chǎn)生反諧振，阻抗反而增高，EMI惡化。反諧振發(fā)生于容性特性和感性特性的交叉點(diǎn)。

所增加電容的電容量，一般需要根據(jù)目標(biāo)降噪頻率進(jìn)行選型。
另外，在這里給出的頻率特性波形圖是理想的波形圖，并未考慮PCB板的布局布線等引起的寄生分量。在實(shí)際的噪聲對策中，需要考慮寄生分量的影響。
02  降低電容的ESL 去耦電容的有效使用方法的第二個要點(diǎn)是降低電容的ESL（即等效串聯(lián)電感）。雖說是“降低ESL”，但由于無法改變單個產(chǎn)品的ESL本身，因此這里是指“即使容值相同，也要使用ESL小的電容”。通過降低ESL，可改善高頻特性，并可更有效地降低高頻噪聲。
即使容值相同也要使用尺寸較小的電容 對于積層陶瓷電容（MLCC），有時會準(zhǔn)備容值相同但尺寸不同的幾個封裝。ESL取決于引腳部位的結(jié)構(gòu)。尺寸較小的電容基本上引腳部位也較小，通常ESL較小。
右圖是容值相同、大小不同的電容的頻率特性示例。如圖所示，更小的1005尺寸的諧振頻率更高，在之后感性區(qū)域的頻率范圍阻抗較低。這正如在“電容的頻率特性”中所介紹的，電容的諧振頻率是基于以下公式的，從公式中可見，只要容值相同，ESL越低諧振頻率越高。另外，感性區(qū)域的阻抗特性取決于ESL，這一點(diǎn)也曾介紹過。

關(guān)于噪聲對策，當(dāng)需要降低更高頻段的噪聲時，可以選擇尺寸小的電容。
使用旨在降低ESL的電容 積層陶瓷電容中，有些型號采用的是旨在降低ESL的形狀和結(jié)構(gòu)。